R1RW0416DSB-2PI#D1
![Qualität [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricant:
RENESAS
Beschreibung:
R1RW0416D-I - Weite Temperatur R
Kategorie:
Gedächtnis
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
R1RW0416DI
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
12ns
Lieferanten-Gerätepaket:
44-TSOP II
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
RENESAS
Speichergröße:
4Mbit
Spannung - Versorgung:
3V bis 3,6V
Packung / Gehäuse:
44-TSOP (0,400", 10.16mm Breite)
Gedächtnisorganisation:
256K x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchron
Zugriffszeit:
12 ns
Speicherformat:
SRAM
Einleitung
SRAM – Asynchroner Speicher-IC 4 Mbit parallel 12 ns 44-TSOP II
Verwandte Produkte
HN58C256AP10E
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die in der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 festgelegten Maßnahmen zu ergreifen.
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
Die Bezeichnung "Behandlungsanlage" ist die Bezeichnung, mit der die Bezeichnung "Behandlungsanlage" bezeichnet wird.
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
R1LV0108ESA-5SI#B1
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
R1LV1616HSA-5SI#B1
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
HN58C257AT85E
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
M5M5V108DVP-70H#BT
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
R1WV6416RBG-5SI#B0
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
HN58V66ATI10E
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
R1LP5256ESA-5SI#S1
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
|---|---|---|---|
|
|
HN58C256AP10E |
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die in der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 festgelegten Maßnahmen zu ergreifen. |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
Die Bezeichnung "Behandlungsanlage" ist die Bezeichnung, mit der die Bezeichnung "Behandlungsanlage" bezeichnet wird. |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
R1LV0108ESA-5SI#B1 |
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
R1LV1616HSA-5SI#B1 |
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
|
|
|
|
HN58C257AT85E |
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
M5M5V108DVP-70H#BT |
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
|
|
|
|
R1WV6416RBG-5SI#B0 |
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
|
|
|
|
HN58V66ATI10E |
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
|
|
|
|
R1LP5256ESA-5SI#S1 |
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
|
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
MOQ: