IS43DR86400E-3DBL
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fabricant:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung:
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
Kategorie:
Gedächtnis
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Speichergröße:
512 Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15n
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für d
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
333 MHz
Spannung - Versorgung:
1.7V ~ 1.9V
Zugriffszeit:
450 ps
Packung / Gehäuse:
60-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
64M x 8
Betriebstemperatur:
0°C | 85°C (TC)
Technologie:
SDRAM-DDR2
Basisproduktnummer:
IS43DR86400
Speicherformat:
DRAM
Einleitung
SDRAM - DDR2-Speicher IC 512Mbit Parallel 333 MHz 450 ps 60-TWBGA (8x10.5)
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