CYD18S18V18-200BBAXC
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fabricant:
Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA
Kategorie:
Gedächtnis
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Speichergröße:
18Mbit
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
256-FBGA (17x17)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Cypress Semiconductor Corp
Uhrfrequenz:
200 MHz
Spannung - Versorgung:
1.42V ~ 1,58V, 1,7V ~ 1,9V
Zugriffszeit:
3,3 ns
Packung / Gehäuse:
256-LBGA
Gedächtnisorganisation:
1M x 18
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SRAM - Doppelport, synchron
Basisproduktnummer:
CYD18S18
Speicherformat:
SRAM
Einleitung
SRAM - Dual-Port, Synchronspeicher IC 18Mbit Parallel 200 MHz 3,3 ns 256-FBGA (17x17)
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