Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
EMCP
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
eMMC 5.1 HS400 + LPDDR3
Lieferanten-Gerätepaket:
221-VFBGA (13x11.5)
Speichertypen:
Nichtflüchtig, flüchtig
Mfr:
Kingston
Betriebstemperatur:
-25°C | 85°C
Speichergröße:
8GByte (NAND), 8Gbit (LPDDR3 DRAM)
Spannung - Versorgung:
1.8V, 3.3V
Packung / Gehäuse:
221-VFBGA
Gedächtnisorganisation:
-
Technologie:
Flash - NAND, DRAM - LPDDR
Basisproduktnummer:
08.EM08
Speicherformat:
BLITZ, RAM
Einleitung
FLASH - NAND, DRAM - LPDDR Speicher IC 8GByte (NAND), 8Gbit (LPDDR3 DRAM) eMMC 5.1 HS400 + LPDDR3 221-VFBGA (13x11.5)
Verwandte Produkte
![Qualität [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistung.
IC FLASH 64GBIT UFS3.1 153FBGA
![Qualität [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
EMMC256-IY29-5B111
IC FLASH 2TBIT EMMC 5.1 153FBGA
![Qualität [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
D1216ECMDXGJDI-U
IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
![Qualität [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
EMMC128-TY29-5B111
IC FLASH 1TBIT EMMC 153WFBGA
![Qualität [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Die Angabe des Zustands des Zustands der Zellstoffverbindung ist nicht erforderlich.
IC FLASH 32GBIT EMMC 153FBGA
![Qualität [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungsfähigkeit.
I-temp eMMC 5.1 (HS400) 153B 4GB
![Qualität [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
EMMC256-IY29-5B101
IC FLASH 2TBIT EMMC 5.1 153FBGA
![Qualität [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Die Angabe des Zustands des Zustands der Zellstoffverbindung ist nicht erforderlich, da die Zellstoffverbindung nicht in der Zellstoffverbindung besteht.
eMMC 5.1 (HS400) 153B 4GB 15nm i
![Qualität [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Die Angabe des Zustands des Zustands des Zustands des Zustands
IC FLASH 256GBIT EMMC 153WFBGA
![Qualität [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif)
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.
IC FLSH RAM 4GBYTE EMMC 221VFBGA
Bild | Teil # | Beschreibung | |
---|---|---|---|
![]() |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistung. |
IC FLASH 64GBIT UFS3.1 153FBGA
|
|
![]() |
EMMC256-IY29-5B111 |
IC FLASH 2TBIT EMMC 5.1 153FBGA
|
|
![]() |
D1216ECMDXGJDI-U |
IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
|
|
![]() |
EMMC128-TY29-5B111 |
IC FLASH 1TBIT EMMC 153WFBGA
|
|
![]() |
Die Angabe des Zustands des Zustands der Zellstoffverbindung ist nicht erforderlich. |
IC FLASH 32GBIT EMMC 153FBGA
|
|
![]() |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungsfähigkeit. |
I-temp eMMC 5.1 (HS400) 153B 4GB
|
|
![]() |
EMMC256-IY29-5B101 |
IC FLASH 2TBIT EMMC 5.1 153FBGA
|
|
![]() |
Die Angabe des Zustands des Zustands der Zellstoffverbindung ist nicht erforderlich, da die Zellstoffverbindung nicht in der Zellstoffverbindung besteht. |
eMMC 5.1 (HS400) 153B 4GB 15nm i
|
|
![]() |
Die Angabe des Zustands des Zustands des Zustands des Zustands |
IC FLASH 256GBIT EMMC 153WFBGA
|
|
![]() |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
IC FLSH RAM 4GBYTE EMMC 221VFBGA
|
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
MOQ: