FM24C04B-G
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fabricant:
Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung:
FRAM (FERROELECTRIC RAM) -Speicher
Kategorie:
Gedächtnis
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Speichergröße:
4 Kbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
F-RAM™
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
I2C
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
8-SOIC
Speichertypen:
Nicht flüchtig
Mfr:
Cypress Semiconductor Corp
Uhrfrequenz:
1 MHz
Spannung - Versorgung:
4.5V ~ 5.5V
Zugriffszeit:
550 ns
Packung / Gehäuse:
8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)
Gedächtnisorganisation:
512 x 8
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
FRAM (Ferroelectric RAM)
Basisproduktnummer:
Die Nummern sind folgende:
Speicherformat:
FRAM
Einleitung
² C 1 MHZ 550 ns 8-SOIC ICs 4Kbit I Gedächtnis FRAM (Ferroelectric RAM)
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