IS46TR16640CL-125JBLA1
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fabricant:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA
Kategorie:
Gedächtnis
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Speichergröße:
1Gbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
Automobilindustrie, AEC-Q100
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15n
Lieferanten-Gerätepaket:
96-TWBGA (9x13)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
800 MHz
Spannung - Versorgung:
1.283V | 1.45V
Zugriffszeit:
20 ns
Packung / Gehäuse:
96-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
64M x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 95 °C (TC)
Technologie:
SDRAM - DDR3L
Basisproduktnummer:
Einheitliche Prüfverfahren
Speicherformat:
DRAM
Einleitung
SDRAM - DDR3L Speicher IC 1Gbit Parallel 800 MHz 20 ns 96-TWBGA (9x13)
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