CY7C1315KV18-250BZCT
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fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA
Kategorie:
Gedächtnis
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Speichergröße:
18Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
165-FBGA (13x15)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Infineon Technologies
Uhrfrequenz:
250 MHz
Spannung - Versorgung:
1.7V ~ 1.9V
Packung / Gehäuse:
165-LBGA
Gedächtnisorganisation:
512K x 36
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SRAM - Synchron, QDR II
Basisproduktnummer:
CY7C1315
Speicherformat:
SRAM
Einleitung
SRAM - Synchrone, QDR II-Speicher IC 18Mbit Parallel 250 MHz 165-FBGA (13x15)
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Lagerbestand:
MOQ: