CY7C1361C-100BZXET
![Qualität [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
IC SRAM 9MBIT PAR 165FBGA
Kategorie:
Gedächtnis
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Speichergröße:
9Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
165-FBGA (13x15)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Infineon Technologies
Uhrfrequenz:
100 MHz
Spannung - Versorgung:
3.135V | 3.6V
Zugriffszeit:
8,5 ns
Packung / Gehäuse:
165-LBGA
Gedächtnisorganisation:
256K x 36
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 125 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Synchron, SDR
Basisproduktnummer:
CY7C1361
Speicherformat:
SRAM
Einleitung
SRAM - Synchroner, SDR-Speicher IC 9Mbit Parallel 100 MHz 8,5 ns 165-FBGA (13x15)
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
MOQ: