CYDM128B16-55BVXI
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fabricant:
Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung:
IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
Kategorie:
Gedächtnis
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
MoBL®
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
55 ns
Lieferanten-Gerätepaket:
100-VFBGA (6x6)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Cypress Semiconductor Corp
Speichergröße:
128 Kbit
Spannung - Versorgung:
1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 2.7V ~ 3.3V
Zugriffszeit:
55 ns
Packung / Gehäuse:
100-VFBGA
Gedächtnisorganisation:
8K x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Doppelanschluss, MoBL
Basisproduktnummer:
CYDM
Speicherformat:
SRAM
Einleitung
SRAM - Dual Port, MoBL Speicher IC 128Kbit Parallel 55 ns 100-VFBGA (6x6)
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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