Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
200ns
Lieferanten-Gerätepaket:
18-CDIP
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Informationen
Speichergröße:
4 Kbit
Spannung - Versorgung:
4.5V ~ 5.5V
Packung / Gehäuse:
18-CDIP
Gedächtnisorganisation:
1K x 4
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchron
Zugriffszeit:
200 ns
Speicherformat:
SRAM
Einleitung
SRAM - Asynchrone Speicher IC 4Kbit Parallel 200 ns 18-CDIP
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