CY14V256LA-BA35XI
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fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
IC NVSRAM 256KBIT PAR 48FBGA
Kategorie:
Gedächtnis
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
35ns
Lieferanten-Gerätepaket:
48-FBGA (6x10)
Speichertypen:
Nicht flüchtig
Mfr:
Infineon Technologies
Speichergröße:
256 Kbit
Spannung - Versorgung:
2.7V ~ 3.6V
Zugriffszeit:
35 ns
Packung / Gehäuse:
48-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
32K x 8
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
NVSRAM (permanentes SRAM)
Basisproduktnummer:
CY14V256
Speicherformat:
NVSRAM
Einleitung
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speicher IC 256Kbit Parallel 35 ns 48-FBGA (6x10)
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Lagerbestand:
MOQ: