IS43LR32160C-6BLI-TR
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fabricant:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung:
IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
Kategorie:
Gedächtnis
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Speichergröße:
512 Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
12ns
Lieferanten-Gerätepaket:
90-TFBGA (8x13)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
166 MHz
Spannung - Versorgung:
1.7V ~ 1.95V
Zugriffszeit:
5,5 ns
Packung / Gehäuse:
90-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
16M x 32
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SDRAM - Bewegliches LPDDR
Basisproduktnummer:
IS43LR32160
Speicherformat:
DRAM
Einleitung
SDRAM - Mobile LPDDR-Speicher IC 512 Mbit Parallel 166 MHz 5,5 ns 90-TFBGA (8x13)
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