IS42S32160F-6BL
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fabricant:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung:
IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
Kategorie:
Gedächtnis
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Speichergröße:
512 Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schlauch
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
90-TFBGA (8x13)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
167 MHZ
Spannung - Versorgung:
3V bis 3,6V
Zugriffszeit:
5,4 ns
Packung / Gehäuse:
90-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
16M x 32
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SDRAM
Basisproduktnummer:
IS42S32160
Speicherformat:
DRAM
Einleitung
SDRAM-Speicher IC 512 Mbit Parallel 167 MHz 5,4 ns 90-TFBGA (8x13)
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