IS61DDB21M18A-300B4L
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fabricant:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA
Kategorie:
Gedächtnis
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Speichergröße:
18Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
165-LFBGA (13x15)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
300 MHz
Spannung - Versorgung:
1.71V ~ 1.89V
Packung / Gehäuse:
165-LBGA
Gedächtnisorganisation:
1M x 18
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SRAM - Synchron, DDR II
Basisproduktnummer:
IS61DDB21
Speicherformat:
SRAM
Einleitung
SRAM - Synchrones, DDR II-Speicher IC 18Mbit Parallel 300 MHz 165-LFBGA (13x15)
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