70T651S10BFGI
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fabricant:
Renesas Electronics America Inc. ist eine Firma, die
Beschreibung:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA
Kategorie:
Gedächtnis
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
10ns
Lieferanten-Gerätepaket:
208-CABGA (15x15)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Renesas Electronics America Inc. ist eine Firma, die
Speichergröße:
9Mbit
Spannung - Versorgung:
2.4V | 2.6V
Zugriffszeit:
10 ns
Packung / Gehäuse:
208-LFBGA
Gedächtnisorganisation:
256K x 36
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchrone Doppelanschlüsse
Basisproduktnummer:
70T651
Speicherformat:
SRAM
Einleitung
SRAM - Dual Port, Asynchrone Speicher IC 9Mbit Parallel 10 ns 208-CABGA (15x15)
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Lagerbestand:
MOQ: