71V256SA12YG
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fabricant:
IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung:
71V256 - geringere Leistung 3.3V CMOS F
Kategorie:
Gedächtnis
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
12ns
Lieferanten-Gerätepaket:
28-SOJ
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
IDT, Integrated Device Technology Inc
Speichergröße:
256 Kbit
Spannung - Versorgung:
3V bis 3,6V
Zugriffszeit:
12 ns
Packung / Gehäuse:
28-BSOJ (0,300", 7,62 mm Breite)
Gedächtnisorganisation:
32K x 8
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchron
Basisproduktnummer:
71V256
Speicherformat:
SRAM
Einleitung
SRAM - Asynchrone Speicher IC 256Kbit Parallel 12 ns 28-SOJ
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