CY7C1399BN-12VXIT
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fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
Kategorie:
Gedächtnis
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
12ns
Lieferanten-Gerätepaket:
28-SOJ
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Infineon Technologies
Speichergröße:
256 Kbit
Spannung - Versorgung:
3V bis 3,6V
Zugriffszeit:
12 ns
Packung / Gehäuse:
28-BSOJ (0,300", 7,62 mm Breite)
Gedächtnisorganisation:
32K x 8
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchron
Basisproduktnummer:
CY7C1399
Speicherformat:
SRAM
Einleitung
SRAM - Asynchrone Speicher IC 256Kbit Parallel 12 ns 28-SOJ
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Lagerbestand:
MOQ: