Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.
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fabricant:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung:
IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
Kategorie:
Gedächtnis
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Speichergröße:
128Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
90-TFBGA (8x13)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
143 MHZ
Spannung - Versorgung:
3V bis 3,6V
Zugriffszeit:
5,4 ns
Packung / Gehäuse:
90-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
4M x 32
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SDRAM
Basisproduktnummer:
Einheit für die Berechnung der Zulassung
Speicherformat:
DRAM
Einleitung
SDRAM-Speicher IC 128 Mbit Parallel 143 MHz 5,4 ns 90-TFBGA (8x13)
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