Haus > produits > Gedächtnis > Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge.

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge.

fabricant:
Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung:
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
Kategorie:
Gedächtnis
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schlauch
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
45ns
Lieferanten-Gerätepaket:
28-SOIC
Speichertypen:
Nicht flüchtig
Mfr:
Cypress Semiconductor Corp
Speichergröße:
256 Kbit
Spannung - Versorgung:
4.5V ~ 5.5V
Zugriffszeit:
45 ns
Packung / Gehäuse:
28 SOIC (0,342", 8,69 mm Breite)
Gedächtnisorganisation:
32K x 8
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
NVSRAM (permanentes SRAM)
Basisproduktnummer:
Stellenabschnitte
Speicherformat:
NVSRAM
Einleitung
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speicher IC 256Kbit Parallel 45 ns 28-SOIC
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
MOQ: