R1RW0416DGE-2PI#B1
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fabricant:
Renesas Electronics America Inc. ist eine Firma, die
Beschreibung:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
Kategorie:
Gedächtnis
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schlauch
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
12ns
Lieferanten-Gerätepaket:
44-SOJ
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Renesas Electronics America Inc. ist eine Firma, die
Speichergröße:
4Mbit
Spannung - Versorgung:
3V bis 3,6V
Zugriffszeit:
12 ns
Packung / Gehäuse:
44-BSOJ (0,400", 10.16mm Breite)
Gedächtnisorganisation:
256K x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SRAM
Basisproduktnummer:
R1RW0416
Speicherformat:
SRAM
Einleitung
SRAM-Speicher IC 4Mbit Parallel 12 ns 44-SOJ
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Lagerbestand:
MOQ: