MT58L512Y36PF-6
![Qualität [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricant:
Micron Technology Inc.
Beschreibung:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
Kategorie:
Gedächtnis
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Speichergröße:
18Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
SYNCBURSTTM
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
165-FBGA (13x15)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Micron Technology Inc.
Uhrfrequenz:
166 MHz
Spannung - Versorgung:
3.135V ~ 3.465V
Zugriffszeit:
3,5 ns
Packung / Gehäuse:
165-TBGA
Gedächtnisorganisation:
512K x 36
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SRAM
Basisproduktnummer:
USE Gefahrenabweichung
Speicherformat:
SRAM
Einleitung
SRAM-Speicher IC 18Mbit Parallel 166 MHz 3,5 ns 165-FBGA (13x15)
Verwandte Produkte
MT41K64M16TW-107 AIT: J
IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT4F4G08ABBFAH4-IT:F
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
USE Gefahrenabweichung
LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP
MT25QU512ABB8E12-0AUT TR
IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA
USE Gefahrenabweichung
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
USE Gefahrenabweichung
IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
MT2F2G16ABAEAWP-AIT:E
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT40A2G8SA-062E IT: F
IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA
MT2F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F
LPDDR5 16GBIT 16 315/315 TFBGA 1
MT2F1G08ABAEAWP-AATX:
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
|---|---|---|---|
|
|
MT41K64M16TW-107 AIT: J |
IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
|
|
|
|
MT4F4G08ABBFAH4-IT:F |
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
|
|
|
|
USE Gefahrenabweichung |
LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP
|
|
|
|
MT25QU512ABB8E12-0AUT TR |
IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA
|
|
|
|
USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
|
|
|
|
USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
|
|
|
|
MT2F2G16ABAEAWP-AIT:E |
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
|
|
|
|
MT40A2G8SA-062E IT: F |
IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA
|
|
|
|
MT2F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F |
LPDDR5 16GBIT 16 315/315 TFBGA 1
|
|
|
|
MT2F1G08ABAEAWP-AATX: |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
|
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
MOQ: