USE Gefahrenabweichung
![Qualität [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricant:
Micron Technology Inc.
Beschreibung:
IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA
Kategorie:
Gedächtnis
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Speichergröße:
32Gbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
Automobilindustrie, AEC-Q100
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
18ns
Lieferanten-Gerätepaket:
200-TFBGA (10x14.5)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Micron Technology Inc.
Uhrfrequenz:
2,133 Gigahertz
Spannung - Versorgung:
1.06V | 1.17V
Packung / Gehäuse:
200-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
1G x 32
Betriebstemperatur:
-40°C | 125°C (TC)
Technologie:
SDRAM - Bewegliches LPDDR4X
Zugriffszeit:
3,5 ns
Speicherformat:
DRAM
Einleitung
SDRAM - Mobile LPDDR4X Speicher IC 32 Gbit Parallel 2,133 GHz 3,5 ns 200-TFBGA (10x14.5)
Verwandte Produkte
MT41K64M16TW-107 AIT: J
IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT4F4G08ABBFAH4-IT:F
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
USE Gefahrenabweichung
LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP
MT25QU512ABB8E12-0AUT TR
IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA
USE Gefahrenabweichung
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
USE Gefahrenabweichung
IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
MT2F2G16ABAEAWP-AIT:E
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT40A2G8SA-062E IT: F
IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA
MT2F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F
LPDDR5 16GBIT 16 315/315 TFBGA 1
MT2F1G08ABAEAWP-AATX:
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
|---|---|---|---|
|
|
MT41K64M16TW-107 AIT: J |
IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
|
|
|
|
MT4F4G08ABBFAH4-IT:F |
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
|
|
|
|
USE Gefahrenabweichung |
LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP
|
|
|
|
MT25QU512ABB8E12-0AUT TR |
IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA
|
|
|
|
USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
|
|
|
|
USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
|
|
|
|
MT2F2G16ABAEAWP-AIT:E |
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
|
|
|
|
MT40A2G8SA-062E IT: F |
IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA
|
|
|
|
MT2F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F |
LPDDR5 16GBIT 16 315/315 TFBGA 1
|
|
|
|
MT2F1G08ABAEAWP-AATX: |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
|
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
MOQ: