71V416S12BEG8
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
12ns
Lieferanten-Gerätepaket:
48-CABGA (9x9)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Renesas Electronics America Inc. ist eine Firma, die
Speichergröße:
4Mbit
Spannung - Versorgung:
3V bis 3,6V
Zugriffszeit:
12 ns
Packung / Gehäuse:
48-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
256K x 16
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchron
Basisproduktnummer:
71V416S
Speicherformat:
SRAM
Einleitung
SRAM - Asynchrone Speicher IC 4Mbit Parallel 12 ns 48-CABGA (9x9)
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Lagerbestand:
MOQ: