IS61LPS51218A-200TQLI-TR
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fabricant:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
Kategorie:
Gedächtnis
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Speichergröße:
9Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheitliche Prüfungen
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
200 MHz
Spannung - Versorgung:
3.135V ~ 3.465V
Zugriffszeit:
3.1 ns
Packung / Gehäuse:
100-LQFP
Gedächtnisorganisation:
512K x 18
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Synchron, SDR
Basisproduktnummer:
IS61LPS51218
Speicherformat:
SRAM
Einleitung
SRAM - Synchrones, SDR-Speicher IC 9Mbit Parallel 200 MHz 3,1 ns 100-LQFP (14x20)
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