BR24T512F-3AME2
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fabricant:
ROHM Halbleiter
Beschreibung:
IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8SOP
Kategorie:
Gedächtnis
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Speichergröße:
512 Kbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
Automobilindustrie, AEC-Q100
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
I2C
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
5 ms
Lieferanten-Gerätepaket:
8-SOP
Speichertypen:
Nicht flüchtig
Mfr:
ROHM Halbleiter
Uhrfrequenz:
1 MHz
Spannung - Versorgung:
1.7V ~ 5.5V
Packung / Gehäuse:
8-SOIC (0,173", 4.40mm Breite)
Gedächtnisorganisation:
64K x 8
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
EEPROM
Basisproduktnummer:
BR24T512
Speicherformat:
EEPROM
Einleitung
EEPROM-Speicher IC 512 Kbit I2C 1 MHz 8-SOP
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Lagerbestand:
MOQ: