Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 515/2014 zu entnehmen.
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Speichergröße:
4Gbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15n
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheit für die Berechnung der Leistung der Fahrzeuge, die für die Berechnung der Leistung der Fahrz
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Alliance Memory, Inc.
Uhrfrequenz:
800 MHz
Spannung - Versorgung:
1.283V | 1.45V
Zugriffszeit:
20 ns
Packung / Gehäuse:
78-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
512M x 8
Betriebstemperatur:
-40°C | 105°C (TC)
Technologie:
SDRAM - DDR3L
Basisproduktnummer:
AS4C512
Speicherformat:
DRAM
Einleitung
SDRAM - DDR3L Speicher IC 4Gbit Parallel 800 MHz 20 ns 78-FBGA (7.5x10.6)
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert.
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AS4C128M16D3LC-12BCN
IC DRAM 2GBIT 800MHZ 96FBGA
Bild | Teil # | Beschreibung | |
---|---|---|---|
![]() |
AS4C8M16SA-6BIN |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
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![]() |
AS4C256M16D3LC-12BCN |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
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