W979H6KBVX1E TR
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fabricant:
Winbond Elektronik
Beschreibung:
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
Kategorie:
Gedächtnis
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Speichergröße:
512 Mbit
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
HSUL_12
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15n
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheit für die Bereitstellung von Anlagen für die Anlagentechnik
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Winbond Elektronik
Uhrfrequenz:
533 MHZ
Spannung - Versorgung:
1.14V | 1.3V, 1.7V | 1.95V
Packung / Gehäuse:
134-VFBGA
Gedächtnisorganisation:
32 M x 16
Betriebstemperatur:
-25°C | 85°C (TC)
Technologie:
SDRAM - mobile LPDDR2-S4B
Basisproduktnummer:
W979H6
Speicherformat:
DRAM
Einleitung
SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B Speicher IC 512Mbit HSUL_12 533 MHz 134-VFBGA (10x11.5)
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