70T633S10BC8
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fabricant:
Renesas Electronics America Inc. ist eine Firma, die
Beschreibung:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA
Kategorie:
Gedächtnis
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
10ns
Lieferanten-Gerätepaket:
256-CABGA (17x17)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Renesas Electronics America Inc. ist eine Firma, die
Speichergröße:
9Mbit
Spannung - Versorgung:
2.4V | 2.6V
Zugriffszeit:
10 ns
Packung / Gehäuse:
256-LBGA
Gedächtnisorganisation:
512K x 18
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchrone Doppelanschlüsse
Basisproduktnummer:
70T633
Speicherformat:
SRAM
Einleitung
SRAM - Dual Port, asynchrone Speicher IC 9Mbit Parallel 10 ns 256-CABGA (17x17)
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Lagerbestand:
MOQ: