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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.

fabricant:
MoSys, Inc.
Beschreibung:
IC-RAM 512MBIT PARALLEL 288FCBGA
Kategorie:
Gedächtnis
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Produktstatus:
Letztes Mal kaufen
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
Automobilindustrie, AEC-Q100
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
288-FCBGA (19x19)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
MoSys, Inc.
Speichergröße:
512 Mbit
Spannung - Versorgung:
-
Zugriffszeit:
3.2 ns
Packung / Gehäuse:
288-BGA, FCBGA
Gedächtnisorganisation:
128 M x 4
Betriebstemperatur:
-
Technologie:
SRAM, RLDRAM
Basisproduktnummer:
Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht.
Speicherformat:
Speicherplatz
Einleitung
SRAM, RLDRAM Speicher IC 512 Mbit Parallel 3,2 ns 288-FCBGA (19x19)
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Lagerbestand:
MOQ: