Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1235/2008 erfasst.
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fabricant:
MoSys, Inc.
Beschreibung:
QPR8-15 GB/S
Kategorie:
Gedächtnis
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Produktstatus:
Letztes Mal kaufen
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
1512-FCBGA (27x27)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
MoSys, Inc.
Speichergröße:
1Gbit
Spannung - Versorgung:
-
Zugriffszeit:
2,7 ns
Packung / Gehäuse:
1512-BGA, FCBGA
Gedächtnisorganisation:
144 M x 8
Betriebstemperatur:
-
Technologie:
SRAM, RLDRAM
Basisproduktnummer:
Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht.
Speicherformat:
Speicherplatz
Einleitung
SRAM, RLDRAM Speicher IC 1Gbit Parallel 2,7 ns 1512-FCBGA (27x27)
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.
QPR4-12 GB/S
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.
QPR8-25 GB/S
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
IC SRAM 576MBIT PAR 324PBGA
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