Haus > produits > Gedächtnis > W9412G6KH-5 TR

W9412G6KH-5 TR

fabricant:
Winbond Elektronik
Beschreibung:
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
Kategorie:
Gedächtnis
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
128Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15n
Lieferanten-Gerätepaket:
66-TSOP II
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Winbond Elektronik
Uhrfrequenz:
200 MHz
Spannung - Versorgung:
2.3V | 2.7V
Zugriffszeit:
50 ns
Packung / Gehäuse:
66-TSSOP (0,400", 10.16mm Breite)
Gedächtnisorganisation:
8M x 16
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SDRAM-DDR
Basisproduktnummer:
W9412G6
Speicherformat:
DRAM
Einleitung
SDRAM - DDR-Speicher IC 128 Mbit Parallel 200 MHz 50 ns 66-TSOP II
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
MOQ: