W66BM6NBUAFJ TR
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fabricant:
Winbond Elektronik
Beschreibung:
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
Kategorie:
Gedächtnis
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Speichergröße:
2Gbit
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Einheitliche Datenbank
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
18ns
Lieferanten-Gerätepaket:
200-WFBGA (10x14.5)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Winbond Elektronik
Uhrfrequenz:
1,6 Gigahertz
Spannung - Versorgung:
1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Zugriffszeit:
3,5 ns
Packung / Gehäuse:
200-WFBGA
Gedächtnisorganisation:
128M x 16
Betriebstemperatur:
-40°C | 105°C (TC)
Technologie:
SDRAM - Bewegliches LPDDR4X
Basisproduktnummer:
W66BM6
Speicherformat:
DRAM
Einleitung
SDRAM - Mobile LPDDR4X Speicher IC 2Gbit LVSTL_11 1,6 GHz 3,5 ns 200-WFBGA (10x14.5)
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